Technische Details RMLV0816BGSD-4S2#AC0 Renesas Electronics America
Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 2,4...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1М х 8, 512К х 16, Тдост/Частота = 45 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-44 Од. вим: шт, Anzahl je Verpackung: 135 Stücke.
Weitere Produktangebote RMLV0816BGSD-4S2#AC0
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| RMLV0816BGSD-4S2#AC0 | Hersteller : Alliance Memory |
 Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 2,4...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1М х 8, 512К х 16, Тдост/Частота = 45 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-44 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 135 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
| RMLV0816BGSD-4S2#AC0 | Hersteller : Renesas Electronics |
SRAM 8Mb 3V Adv.SRAM x16 TSOP52, 45ns, WTR |
Produkt ist nicht verfügbar |