Produkte > RENESAS ELECTRONICS AMERICA > RMLV0816BGSD-4S2#AC0
RMLV0816BGSD-4S2#AC0

RMLV0816BGSD-4S2#AC0 Renesas Electronics America

r10ds0253ej0200_memory.pdf
Hersteller: Renesas Electronics America
Description: IC SRAM 8M PARALLEL 52TSOP
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details RMLV0816BGSD-4S2#AC0 Renesas Electronics America

Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 2,4...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1М х 8, 512К х 16, Тдост/Частота = 45 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-44 Од. вим: шт, Anzahl je Verpackung: 135 Stücke.

Weitere Produktangebote RMLV0816BGSD-4S2#AC0

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RMLV0816BGSD-4S2#AC0 Alliance Memory r10ds0253ej0200_renesas.pdf Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 2,4...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1М х 8, 512К х 16, Тдост/Частота = 45 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-44 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 135 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RMLV0816BGSD-4S2#AC0 Renesas Electronics r10ds0253ej0200_memory-1092915.pdf SRAM 8Mb 3V Adv.SRAM x16 TSOP52, 45ns, WTR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RMLV0816BGSD-4S2#AC0 r10ds0253ej0200_renesas.pdf
Hersteller: Alliance Memory
Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 2,4...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1М х 8, 512К х 16, Тдост/Частота = 45 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-44 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 135 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RMLV0816BGSD-4S2#AC0 r10ds0253ej0200_memory-1092915.pdf
Hersteller: Renesas Electronics
SRAM 8Mb 3V Adv.SRAM x16 TSOP52, 45ns, WTR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH