RMWV3216AGBG-5S2#AC0 Renesas Electronics
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| 1+ | 94.74 EUR |
| 10+ | 86.12 EUR |
| 25+ | 80.12 EUR |
| 50+ | 75.28 EUR |
| 100+ | 74.87 EUR |
| 253+ | 74.55 EUR |
| 506+ | 74.50 EUR |
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Technische Details RMWV3216AGBG-5S2#AC0 Renesas Electronics
Description: RENESAS - RMWV3216AGBG-5S2#AC0 - SRAM, Asynchroner SRAM, 32 Mbit, 2M x 16 Bit, FBGA, 48 Pin(s), 2.7 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 32Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 48Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 2M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote RMWV3216AGBG-5S2#AC0
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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RMWV3216AGBG-5S2#AC0 | Hersteller : RENESAS |
 Description: RENESAS - RMWV3216AGBG-5S2#AC0 - SRAM, Asynchroner SRAM, 32 Mbit, 2M x 16 Bit, FBGA, 48 Pin(s), 2.7 VtariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 32Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 2M x 16 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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RMWV3216AGBG-5S2#AC0 | Hersteller : Renesas Electronics Corporation |
Description: IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48TFBGA Packaging: Tray Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-TFBGA (7.5x8.5) Write Cycle Time - Word, Page: 55ns Memory Interface: Parallel Access Time: 55 ns Memory Organization: 2M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
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