RMWV3216AGBG-5S2#KC0 Renesas Electronics
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| 50+ | 68.67 EUR |
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| 250+ | 58.84 EUR |
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Technische Details RMWV3216AGBG-5S2#KC0 Renesas Electronics
Description: RENESAS - RMWV3216AGBG-5S2#KC0 - SRAM, Asynchroner SRAM, 32 Mbit, 2Mword x 16 Bit, FBGA, 48 Pin(s), 2.7 V, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: FBGA, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Versorgungsspannung: 2.7V bis 3.6V, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Speicherkonfiguration SRAM: 2Mword x 16 Bit, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 32Mbit, usEccn: 3A991.b.2.a, Zugriffszeit: 55ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Speichergröße: 32Mbit, Anzahl der Pins: 48Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 2Mword x 16 Bit, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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RMWV3216AGBG-5S2#KC0 | Hersteller : RENESAS |
 Description: RENESAS - RMWV3216AGBG-5S2#KC0 - SRAM, Asynchroner SRAM, 32 Mbit, 2Mword x 16 Bit, FBGA, 48 Pin(s), 2.7 VtariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 32Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 2Mword x 16 Bit SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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RMWV3216AGBG-5S2#KC0 | Hersteller : RENESAS |
Description: RENESAS - RMWV3216AGBG-5S2#KC0 - SRAM, Asynchroner SRAM, 32 Mbit, 2Mword x 16 Bit, FBGA, 48 Pin(s), 2.7 V tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: FBGA rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.7V bis 3.6V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkonfiguration SRAM: 2Mword x 16 Bit IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 32Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Zugriffszeit: 55ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Speichergröße: 32Mbit Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 2Mword x 16 Bit SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RMWV3216AGBG-5S2#KC0 | Hersteller : Renesas Electronics Corporation |
Description: IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-TFBGA (7.5x8.5) Write Cycle Time - Word, Page: 55ns Memory Interface: Parallel Access Time: 55 ns Memory Organization: 2M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
Produkt ist nicht verfügbar |
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RMWV3216AGBG-5S2#KC0 | Hersteller : Renesas Electronics Corporation |
Description: IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48TFBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-TFBGA (7.5x8.5) Write Cycle Time - Word, Page: 55ns Memory Interface: Parallel Access Time: 55 ns Memory Organization: 2M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
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