RMWV6416AGSD-5S2#AA0 Renesas Electronics
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Technische Details RMWV6416AGSD-5S2#AA0 Renesas Electronics
Description: RENESAS - RMWV6416AGSD-5S2#AA0 - SRAM, LPSRAM, 64 Mbit, 4Mword x 16 Bit / 8Mword x 8 Bit, UTSOP-II, 52 Pin(s), 2.7 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Speicherdichte: 64Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 52Pin(s), productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
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RMWV6416AGSD-5S2#AA0 | Hersteller : RENESAS |
 Description: RENESAS - RMWV6416AGSD-5S2#AA0 - SRAM, LPSRAM, 64 Mbit, 4Mword x 16 Bit / 8Mword x 8 Bit, UTSOP-II, 52 Pin(s), 2.7 VtariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherdichte: 64Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 52Pin(s) productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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RMWV6416AGSD-5S2#AA0 | Hersteller : Renesas Electronics America Inc |
Description: IC SRAM 64MBIT PAR 52TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 52-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 55ns Memory Interface: Parallel Access Time: 55 ns Memory Organization: 8M x 8, 4M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
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