RN1108MFV,L3F(T Toshiba
Hersteller: Toshiba
Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2037+ | 0.086 EUR |
| 2598+ | 0.065 EUR |
| 3334+ | 0.05 EUR |
| 3598+ | 0.045 EUR |
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Technische Details RN1108MFV,L3F(T Toshiba
Description: TOSHIBA - RN1108MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-723, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote RN1108MFV,L3F(T nach Preis ab 0.055 EUR bis 0.35 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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RN1108MFV,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - RN1108MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: Y usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RN1108MFV,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - RN1108MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: N usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Dauerkollektorstrom: 100mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RN1108MFV,L3F(T |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN1108MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
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Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
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Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - RN1108MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
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Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 725+ | 0.35 EUR |
| 1211+ | 0.19 EUR |
| 1938+ | 0.11 EUR |
| 2703+ | 0.08 EUR |
| 3425+ | 0.063 EUR |
| 5000+ | 0.055 EUR |
| RN1108MFV,L3F(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN1108MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
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Verlustleistung: 150mW
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Description: TOSHIBA - RN1108MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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| 725+ | 0.35 EUR |
| 1211+ | 0.19 EUR |
| 1938+ | 0.11 EUR |
| 2703+ | 0.08 EUR |
| 3425+ | 0.063 EUR |
| 5000+ | 0.055 EUR |


