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RN1115MFV,L3F(B Toshiba


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Hersteller: Toshiba
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW
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Technische Details RN1115MFV,L3F(B Toshiba

Category: NPN SMD transistors, Description: Transistor: NPN; 50V, Mounting: SMD, Collector-emitter voltage: 50V, Base resistor: 2.2kΩ, Type of transistor: NPN, Base-emitter resistor: 10kΩ.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RN1115MFV,L3F(B TOSHIBA Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; 50V
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Base-emitter resistor: 10kΩ
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RN1115MFV,L3F(B
Hersteller: TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; 50V
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Base-emitter resistor: 10kΩ
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