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RN1305,LF

RN1305,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=18776&prodName=RN1306
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4941 Stücke:
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Technische Details RN1305,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR), Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Frequency - Transition: 250 MHz, Power - Max: 100 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: SC-70.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RN1305,LF RN1305,LF Toshiba 8A18EC0C3957D778D65B0392EBE4D3EA5F29F5B254B465A42BDEE1ABF68E0FDC.pdf Digital Transistors USM PLN TRANSISTOR Pd=100mW F=1MHz
auf Bestellung 4270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.46 EUR
12+0.29 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.094 EUR
6000+0.083 EUR
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RN1305,LF 8A18EC0C3957D778D65B0392EBE4D3EA5F29F5B254B465A42BDEE1ABF68E0FDC.pdf
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