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RN1309,LXHF

RN1309,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=18778&prodName=RN1309
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details RN1309,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: SC-70, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 100 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 47 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RN1309,LXHF RN1309,LXHF Toshiba C2C2A567D4EC5386F3A28007FCA49B7B3E1F5E7AC567333994F9754F31C93CC5.pdf Digital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN , R1=47kOhm, R2=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-323)
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10+0.56 EUR
100+0.33 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.12 EUR
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RN1309,LXHF C2C2A567D4EC5386F3A28007FCA49B7B3E1F5E7AC567333994F9754F31C93CC5.pdf
RN1309,LXHF
Hersteller: Toshiba
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