Technische Details RN1316,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 10Kohms.
Weitere Produktangebote RN1316,LF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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RN1316,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM |
auf Bestellung 618 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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RN1316,LF | Toshiba |
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 10Kohms |
auf Bestellung 8770 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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RN1316,LF | Toshiba |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin USM T/R |
auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 43 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RN1316,LF |
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
auf Bestellung 618 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| RN1316,LF |
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Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 10Kohms
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 10Kohms
auf Bestellung 8770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| RN1316,LF |
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Hersteller: Toshiba
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin USM T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin USM T/R
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)