RN1407,LF Toshiba Semiconductor and Storage
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Technische Details RN1407,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346).
Weitere Produktangebote RN1407,LF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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RN1407,LF | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI |
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RN1407,LF | Hersteller : Toshiba |
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346) |
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