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RN1708,LF

RN1708,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=18819&prodName=RN1709
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
auf Bestellung 2753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Technische Details RN1708,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: USV.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RN1708,LF RN1708,LF Toshiba RN1708_datasheet_en_20191030-1627246.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
auf Bestellung 7658 Stücke:
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6+0.57 EUR
10+0.46 EUR
100+0.25 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.1 EUR
9000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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RN1708,LF RN1708_datasheet_en_20191030-1627246.pdf
RN1708,LF
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
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