RN1902FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
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Technische Details RN1902FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR NPNx2 Q1BSR=10kOhm Q1BER=10kOhm Q2BSR=10kOhm Q2BER=10kOhm VCEO=50V IC=0.1A (SOT-563).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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RN1902FE,LXHF(CT | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: AUTO AEC-Q TR NPNX2 Q1BSR=10KOHM |
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RN1902FE,LXHF(CT | Hersteller : Toshiba |
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR NPNx2 Q1BSR=10kOhm Q1BER=10kOhm Q2BSR=10kOhm Q2BER=10kOhm VCEO=50V IC=0.1A (SOT-563) |
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