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RN1903FE,LF(CT

RN1903FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

RN1903FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19130&prodName=RN1903FE
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
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AnzahlPrivatkunde
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Technische Details RN1903FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: ES6.

Weitere Produktangebote RN1903FE,LF(CT nach Preis ab 0.052 EUR bis 0.45 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RN1903FE,LF(CT RN1903FE,LF(CT Toshiba RN1903FE_datasheet_en_20211223-1627288.pdf Digital Transistors NPN x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
auf Bestellung 5849 Stücke:
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11+0.31 EUR
100+0.13 EUR
1000+0.075 EUR
8000+0.058 EUR
24000+0.057 EUR
48000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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RN1903FE,LF(CT RN1903FE_datasheet_en_20211223-1627288.pdf
RN1903FE,LF(CT
Hersteller: Toshiba
Digital Transistors NPN x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
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