RN1910,LF(CT TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN1910,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
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Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
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Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
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Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 527+ | 0.48 EUR |
| 870+ | 0.26 EUR |
| 1395+ | 0.15 EUR |
| 1902+ | 0.11 EUR |
| 2137+ | 0.1 EUR |
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Technische Details RN1910,LF(CT TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN1910,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, isCanonical: N, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, Verlustleistung: 200mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.
Weitere Produktangebote RN1910,LF(CT nach Preis ab 0.1 EUR bis 0.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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RN1910,LF(CT | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - RN1910,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - |
auf Bestellung 2426 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RN1910,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6 |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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RN1910,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6 |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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RN1910,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RN1910,LF(CT |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN1910,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Description: TOSHIBA - RN1910,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 2426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 527+ | 0.48 EUR |
| 870+ | 0.26 EUR |
| 1395+ | 0.15 EUR |
| 1902+ | 0.11 EUR |
| 2137+ | 0.1 EUR |
| RN1910,LF(CT |
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| RN1910,LF(CT |
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| RN1910,LF(CT |
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)