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RN2106,LXHF(CT

RN2106,LXHF(CT Toshiba

RN2106_datasheet_en_20220913-1627123.pdf Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
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Technische Details RN2106,LXHF(CT Toshiba

Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416).

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RN2106,LXHF(CT RN2106,LXHF(CT Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2106 Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7KOHM,
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RN2106,LXHF(CT RN2106,LXHF(CT Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2106 Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7KOHM,
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