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RN2106,LXHF(CT

RN2106,LXHF(CT Toshiba

RN2106_datasheet_en_20220913-1627123.pdf
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
auf Bestellung 11892 Stücke:
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Technische Details RN2106,LXHF(CT Toshiba

Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RN2106,LXHF(CT RN2106,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18841&prodName=RN2106 Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7KOHM,
auf Bestellung 2900 Stücke:
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29+0.74 EUR
38+0.56 EUR
100+0.31 EUR
500+0.2 EUR
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RN2106,LXHF(CT docget.jsp?did=18841&prodName=RN2106
RN2106,LXHF(CT
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7KOHM,
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