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RN2106MFV,L3F(CT

RN2106MFV,L3F(CT TOSHIBA

4163446.pdf
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN2106MFV,L3F(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 43200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
667+0.38 EUR
1108+0.21 EUR
1793+0.12 EUR
2451+0.087 EUR
3135+0.068 EUR
5000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 667 Stücke
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Technische Details RN2106MFV,L3F(CT TOSHIBA

Description: TOSHIBA - RN2106MFV,L3F(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, Verlustleistung: 150mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-723, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RN2106MFV,L3F(CT RN2106MFV,L3F(CT TOSHIBA 4163446.pdf Description: TOSHIBA - RN2106MFV,L3F(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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RN2106MFV,L3F(CT RN2106MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5883&prodName=RN2106MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
auf Bestellung 3033 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
53+0.39 EUR
58+0.37 EUR
106+0.2 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.083 EUR
2000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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Description: TOSHIBA - RN2106MFV,L3F(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
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Bauform - Transistor: SOT-723
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Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
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