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RN2303(TE85L,F)

RN2303(TE85L,F) Toshiba

RN2303_datasheet_en_20210824-1369403.pdf Hersteller: Toshiba
Digital Transistors 100mA -50volts 3Pin 22K x 22Kohms
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Technische Details RN2303(TE85L,F) Toshiba

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: SC-70, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 100 mW, Frequency - Transition: 200 MHz, Resistor - Base (R1): 22 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms.

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RN2303(TE85L,F) RN2303(TE85L,F) Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
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RN2303(TE85L,F) RN2303(TE85L,F) Hersteller : Toshiba rn2305_datasheet_en_20191204.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 100mW Automotive 3-Pin USM T/R
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