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RN2424(TE85L,F)

RN2424(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

RN2424_datasheet_en_20140301.pdf?did=18885&prodName=RN2424 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Technische Details RN2424(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V, Supplier Device Package: S-Mini, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 200 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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RN2424(TE85L,F) RN2424(TE85L,F) Hersteller : Toshiba 29docget.jsppidrn2427langentypedatasheet.jsppidrn2427langentypedata.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 800mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 2995 Stücke:
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RN2424(TE85L,F) RN2424(TE85L,F) Hersteller : Toshiba RN2424_datasheet_en_20140301-1889855.pdf Digital Transistors 10kohm 10kohm 0.8A SOT-346 50V
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RN2424(TE85L,F) RN2424(TE85L,F) Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage RN2424_datasheet_en_20140301.pdf?did=18885&prodName=RN2424 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 4772 Stücke:
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RN2424(TE85L,F) RN2424(TE85L,F) Hersteller : Toshiba 29docget.jsppidrn2427langentypedatasheet.jsppidrn2427langentypedata.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 800mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R
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