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RN2910,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Name: RN2910,LF(CT
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 13563640-3
Price: 249.00 EUR
Availability: InStock

RN2910_datasheet_en_20211223.pdf?did=18911&prodName=RN2910

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BERINF.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-61AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMQ
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA

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Technische Details RN2910,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BERINF., Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 200mW, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-61AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, Supplier Device Package: SMQ, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Frequency - Transition: 200MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA.

Weitere Produktangebote RN2910,LF(CT nach Preis ab 0.06 EUR bis 0.49 EUR

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Bezeichnung

Hersteller

Beschreibung

Verfügbarkeit

Preis

RN2910,LF(CT

Toshiba

RN2910_datasheet_en_20210824-1627215.pdf

Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A

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RN2910,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

Description: PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BERINF.
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMQ
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-61AA
Packaging: Cut Tape (CT)

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RN2910,LF(CT

Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A

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RN2910,LF(CT

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BERINF.
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMQ
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-61AA
Packaging: Cut Tape (CT)

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