RN4901FE,LF(CT Toshiba
Hersteller: ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased PNP + NPN BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=4.7kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=4.7kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
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| Anzahl | Preis |
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| 7+ | 0.41 EUR |
| 10+ | 0.34 EUR |
| 100+ | 0.18 EUR |
| 500+ | 0.12 EUR |
| 1000+ | 0.07 EUR |
| 4000+ | 0.07 EUR |
| 8000+ | 0.06 EUR |
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Technische Details RN4901FE,LF(CT Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP + NPN BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=4.7kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=4.7kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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RN4901FE,LF(CT | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER |
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RN4901FE,LF(CT | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER |
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