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RN4909,LF(CT

RN4909,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=18965&prodName=RN4909 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNP + NPN BRT Q1BSR22KOHM Q1BER4
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Technische Details RN4909,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP + NPN BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A.

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RN4909,LF(CT RN4909,LF(CT Hersteller : Toshiba RN4909_datasheet_en_20210824-1627371.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP + NPN BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
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RN4909,LF(CT RN4909,LF(CT Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18965&prodName=RN4909 Description: PNP + NPN BRT Q1BSR22KOHM Q1BER4
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