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RN4911,LF(CT

RN4911,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage


Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER
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Technische Details RN4911,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP + NPN BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RN4911,LF(CT RN4911,LF(CT Toshiba RN4911FE_datasheet_en_20210818-1627219.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP + NPN BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
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RN4911,LF(CT
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP + NPN BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
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