RN4982,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 31+ | 0.58 EUR |
| 50+ | 0.36 EUR |
| 100+ | 0.23 EUR |
| 500+ | 0.17 EUR |
| 1000+ | 0.15 EUR |
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Technische Details RN4982,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOSHIBA - RN4982,LXHF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote RN4982,LXHF(CT nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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RN4982,LXHF(CT | Hersteller : Toshiba |
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-Sym) NPN + PNP , R1=10kOhm, R2=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-363) |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RN4982,LXHF(CT | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - RN4982,LXHF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RN4982,LXHF(CT | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: US6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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