RN4982FE,LF(CT TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN4982FE,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 506+ | 0.5 EUR |
| 834+ | 0.27 EUR |
| 1352+ | 0.15 EUR |
| 2258+ | 0.095 EUR |
| 2526+ | 0.084 EUR |
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Technische Details RN4982FE,LF(CT TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN4982FE,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, Verlustleistung: 100mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-563, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.
Weitere Produktangebote RN4982FE,LF(CT nach Preis ab 0.084 EUR bis 0.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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RN4982FE,LF(CT | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - RN4982FE,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-563 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V |
auf Bestellung 3400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RN4982FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
auf Bestellung 3250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RN4982FE,LF(CT |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN4982FE,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
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Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Description: TOSHIBA - RN4982FE,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
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auf Bestellung 3400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 506+ | 0.5 EUR |
| 834+ | 0.27 EUR |
| 1352+ | 0.15 EUR |
| 2258+ | 0.095 EUR |
| 2526+ | 0.084 EUR |
| RN4982FE,LF(CT |
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
auf Bestellung 3250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)