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RN4985FE,LXHF(CT

RN4985FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=19050&prodName=RN4985FE
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=2.2K
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Technische Details RN4985FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=2.2kOhm Q1BER=47kOhm Q2BSR=2.2kOhm Q2BER=47kOhm VCEO=50V IC=0.1A SOT563.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RN4985FE,LXHF(CT RN4985FE,LXHF(CT Toshiba RN4985FE_datasheet_en_20210818-1627258.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=2.2kOhm Q1BER=47kOhm Q2BSR=2.2kOhm Q2BER=47kOhm VCEO=50V IC=0.1A SOT563
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RN4985FE,LXHF(CT RN4985FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19050&prodName=RN4985FE Description: AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=2.2K
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RN4985FE,LXHF(CT
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=2.2kOhm Q1BER=47kOhm Q2BSR=2.2kOhm Q2BER=47kOhm VCEO=50V IC=0.1A SOT563
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