RN4985FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
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Technische Details RN4985FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=2.2kOhm Q1BER=47kOhm Q2BSR=2.2kOhm Q2BER=47kOhm VCEO=50V IC=0.1A SOT563.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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RN4985FE,LXHF(CT | Hersteller : Toshiba |
 Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=2.2kOhm Q1BER=47kOhm Q2BSR=2.2kOhm Q2BER=47kOhm VCEO=50V IC=0.1A SOT563 |
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RN4985FE,LXHF(CT | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=2.2K |
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