| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.37 EUR |
| 10+ | 1.83 EUR |
| 100+ | 1.3 EUR |
| 500+ | 1.04 EUR |
| 1000+ | 0.92 EUR |
| 3000+ | 0.84 EUR |
| 6000+ | 0.77 EUR |
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Technische Details RQ1E070RPHZGTR ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RQ1E070RPHZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7 A, 0.017 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 1.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm.
Weitere Produktangebote RQ1E070RPHZGTR nach Preis ab 0.93 EUR bis 4.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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RQ1E070RPHZGTR | ROHM |
Description: ROHM - RQ1E070RPHZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7 A, 0.017 ohm, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm |
auf Bestellung 2887 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RQ1E070RPHZGTR |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RQ1E070RPHZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7 A, 0.017 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
Description: ROHM - RQ1E070RPHZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7 A, 0.017 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
auf Bestellung 2887 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 53+ | 4.72 EUR |
| 110+ | 2.12 EUR |
| 156+ | 1.38 EUR |
| 500+ | 1.01 EUR |
| 1000+ | 0.93 EUR |