RQ3E120BNTB ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RQ3E120BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0066 ohm, HSMT, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 12, Qualifikation: -, Verlustleistung Pd: 2, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, Verlustleistung: 2, Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).