RQ3G270BKFRATCB ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Automotive Nch 40V 27A Power MOSFET for ADAS/Info./Lighting/Body.
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.62 EUR |
| 10+ | 2.14 EUR |
| 100+ | 1.68 EUR |
| 500+ | 1.42 EUR |
| 1000+ | 1.21 EUR |
| 3000+ | 1.02 EUR |
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Technische Details RQ3G270BKFRATCB ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RQ3G270BKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 27 A, 9600 µohm, HSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 27A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 69W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm.
Weitere Produktangebote RQ3G270BKFRATCB nach Preis ab 2.39 EUR bis 3.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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RQ3G270BKFRATCB | ROHM |
Description: ROHM - RQ3G270BKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 27 A, 9600 µohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 69W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RQ3G270BKFRATCB |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RQ3G270BKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 27 A, 9600 µohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm
Description: ROHM - RQ3G270BKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 27 A, 9600 µohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 63+ | 3.97 EUR |
| 98+ | 2.39 EUR |