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RQ3P270BKFRATCB

RQ3P270BKFRATCB Rohm Semiconductor

datasheet?p=RQ3P270BKFRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 100V 27A, HSMT8AG, POWER MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Technische Details RQ3P270BKFRATCB Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RQ3P270BKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 27 A, 0.027 ohm, HSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 27A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 69W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RQ3P270BKFRATCB RQ3P270BKFRATCB ROHM 4197386.pdf Description: ROHM - RQ3P270BKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 27 A, 0.027 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.51 EUR
118+1.82 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
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Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.25 EUR
10+2.64 EUR
25+2.23 EUR
100+1.76 EUR
250+1.52 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 69W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+4.68 EUR
84+2.78 EUR
125+1.73 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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RQ3P270BKFRATCB 4197386.pdf
RQ3P270BKFRATCB
Hersteller: ROHM
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auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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500+1.54 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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RQ3P270BKFRATCB datasheet?p=RQ3P270BKFRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RQ3P270BKFRATCB
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 100V 27A, HSMT8AG, POWER MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
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1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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RQ3P270BKFRATCB
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RQ3P270BKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 27 A, 0.027 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Bauform - Transistor: HSMT
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
54+4.68 EUR
84+2.78 EUR
125+1.73 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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