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RQ5E025SPTL

RQ5E025SPTL ROHM Semiconductor

rq5e025sptl-e-1873209.pdf
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFET -30V P-CHANNEL -2.5A
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Technische Details RQ5E025SPTL ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RQ5E025SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.098 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-346T, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RQ5E025SPTL RQ5E025SPTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ5E025SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2534 Stücke:
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RQ5E025SPTL RQ5E025SPTL ROHM datasheet?p=RQ5E025SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ5E025SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.098 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
auf Bestellung 2471 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.9 EUR
247+0.94 EUR
381+0.56 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
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RQ5E025SPTL RQ5E025SPTL ROHM datasheet?p=RQ5E025SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ5E025SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.098 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
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RQ5E025SPTL datasheet?p=RQ5E025SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ5E025SPTL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
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RQ5E025SPTL datasheet?p=RQ5E025SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ5E025SPTL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RQ5E025SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.098 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
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Mindestbestellmenge: 132 Stücke
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RQ5E025SPTL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RQ5E025SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.098 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
auf Bestellung 2471 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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