RQ5H020SPTL Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
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| Anzahl | Preis |
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| 3000+ | 0.34 EUR |
| 6000+ | 0.31 EUR |
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Technische Details RQ5H020SPTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RQ5H020SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 2 A, 0.13 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 45V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-346T, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RQ5H020SPTL nach Preis ab 0.19 EUR bis 1.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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RQ5H020SPTL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFET Pch -45V -2.0A Power MOSFET |
auf Bestellung 10120 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RQ5H020SPTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V |
auf Bestellung 7530 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RQ5H020SPTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RQ5H020SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 2 A, 0.13 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-346T Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1176 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RQ5H020SPTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RQ5H020SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 2 A, 0.13 ohm, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 2340 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RQ5H020SPTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RQ5H020SPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 2 A, 0.13 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-346T Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1176 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RQ5H020SPTL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
RQ5H020SPTL SMD P channel transistors |
auf Bestellung 2237 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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