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RQ6G050ATTCR

RQ6G050ATTCR Rohm Semiconductor

datasheet?p=RQ6G050AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: PCH -30V -5A POWER MOSFET - RQ6G
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.67 EUR
6000+0.62 EUR
9000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Technische Details RQ6G050ATTCR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RQ6G050ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 5 A, 0.04 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 1.25W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 1.25W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-457T, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm.

Weitere Produktangebote RQ6G050ATTCR nach Preis ab 0.62 EUR bis 3.7 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RQ6G050ATTCR RQ6G050ATTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6G050AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -30V -5A POWER MOSFET - RQ6G
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 16657 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.37 EUR
13+1.62 EUR
100+1.07 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RQ6G050ATTCR RQ6G050ATTCR ROHM Semiconductor datasheet?p=RQ6G050AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -5.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
auf Bestellung 5494 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.56 EUR
10+1.62 EUR
100+1.07 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
3000+0.67 EUR
6000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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RQ6G050ATTCR RQ6G050ATTCR ROHM datasheet?p=RQ6G050AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ6G050ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 5 A, 0.04 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 2702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+3.7 EUR
139+1.67 EUR
197+1.09 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RQ6G050ATTCR RQ6G050ATTCR ROHM datasheet?p=RQ6G050AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ6G050ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 5 A, 0.04 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 2702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.7 EUR
139+1.67 EUR
197+1.09 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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RQ6G050ATTCR
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: PCH -30V -5A POWER MOSFET - RQ6G
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
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MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -5.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
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RQ6G050ATTCR datasheet?p=RQ6G050AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6G050ATTCR
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RQ6G050ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 5 A, 0.04 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
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68+3.7 EUR
139+1.67 EUR
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500+0.87 EUR
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Mindestbestellmenge: 68 Stücke
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RQ6G050ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 5 A, 0.04 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Dauer-Drainstrom Id: 5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
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