RQ7L050ATTCR ROHM
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RQ7L050ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5 A, 0.039 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.53 EUR |
| 140+ | 1.54 EUR |
| 500+ | 1.23 EUR |
| 1000+ | 1.08 EUR |
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Technische Details RQ7L050ATTCR ROHM
Description: ROHM - RQ7L050ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5 A, 0.039 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 1.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 1.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSMT, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm.
Weitere Produktangebote RQ7L050ATTCR nach Preis ab 1.08 EUR bis 4.68 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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RQ7L050ATTCR | ROHM |
Description: ROHM - RQ7L050ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5 A, 0.039 ohm, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm |
auf Bestellung 2693 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RQ7L050ATTCR |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RQ7L050ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5 A, 0.039 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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usEccn: EAR99
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Description: ROHM - RQ7L050ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5 A, 0.039 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 54+ | 4.68 EUR |
| 92+ | 2.53 EUR |
| 140+ | 1.54 EUR |
| 500+ | 1.23 EUR |
| 1000+ | 1.08 EUR |