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RR1LAM6STR

RR1LAM6STR Rohm Semiconductor

rb058lam-30tftr-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A PMDTM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: PMDTM
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Technische Details RR1LAM6STR Rohm Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 600V 1A PMDTM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-128, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: PMDTM, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.

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RR1LAM6STR RR1LAM6STR Hersteller : Rohm Semiconductor rb058lam-30tftr-e.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A PMDTM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: PMDTM
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
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RR1LAM6STR RR1LAM6STR Hersteller : ROHM Semiconductor rb058lam-30tftr-e.pdf Rectifiers 750V Vr 1A Io Rectifying Diode
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