RRR030P03TL Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.33 EUR |
| 6000+ | 0.31 EUR |
| 9000+ | 0.29 EUR |
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Technische Details RRR030P03TL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RRR030P03TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.055 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RRR030P03TL nach Preis ab 0.28 EUR bis 1.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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RRR030P03TL | Hersteller : ROHM Semiconductor | MOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -30V, -3A |
auf Bestellung 293 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RRR030P03TL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V |
auf Bestellung 9243 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RRR030P03TL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RRR030P03TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.055 ohm, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2524 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RRR030P03TL | Hersteller : ROHM |
 Description: ROHM - RRR030P03TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.055 ohm, TSMT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2544 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |