RS1L145GNTB ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM SemiconductorMOSFET RS1L145GN is the high reliability transistor, suitable for switching applications.
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 3.31 EUR |
| 10+ | 2.75 EUR |
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| 250+ | 2.02 EUR |
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Technische Details RS1L145GNTB ROHM Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 47A; Idm: 58A; 31W; HSOP8, Case: HSOP8, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 60V, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate charge: 37nC, On-state resistance: 14.1mΩ, Power dissipation: 31W, Drain current: 47A, Pulsed drain current: 58A.
Weitere Produktangebote RS1L145GNTB nach Preis ab 1.98 EUR bis 4.03 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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RS1L145GNTB | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 14.5A/47A 8HSOP |
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RS1L145GNTB | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 14.5A/47A 8HSOP |
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| RS1L145GNTB | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 47A; Idm: 58A; 31W; HSOP8 Case: HSOP8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 37nC On-state resistance: 14.1mΩ Power dissipation: 31W Drain current: 47A Pulsed drain current: 58A |
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