RS3A V6G Taiwan Semiconductor Corporation
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details RS3A V6G Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: DO-214AB (SMC), Current - Average Rectified (Io): 3A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-214AB, SMC, Packaging: Tape & Reel (TR).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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RS3A V6G | Taiwan Semiconductor |
Rectifiers 150ns 3A 50V Fast Re covery Rectifier |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RS3A V6G |
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Hersteller: Taiwan Semiconductor
Rectifiers 150ns 3A 50V Fast Re covery Rectifier
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Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH