RS3G160ATTB1 ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -16.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.38 EUR |
| 10+ | 2.94 EUR |
| 100+ | 2.18 EUR |
| 500+ | 1.87 EUR |
| 2500+ | 1.58 EUR |
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Technische Details RS3G160ATTB1 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RS3G160ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 5000 µohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote RS3G160ATTB1 nach Preis ab 1.87 EUR bis 4.88 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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RS3G160ATTB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: PCH -40V -16A POWER MOSFET - RS3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) |
auf Bestellung 2380 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RS3G160ATTB1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RS3G160ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 5000 µohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3709 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RS3G160ATTB1 | Hersteller : Rohm |
P-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 16, Ciss, пФ @ Uds, В = 6250 @ 20, Qg, нКл = 120, Rds = 6,2 @ 16 А, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В, Р, Вт = 1,4, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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RS3G160ATTB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: PCH -40V -16A POWER MOSFET - RS3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) |
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