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RS3G160ATTB1

RS3G160ATTB1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RS3G160AT&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: PCH -40V -16A POWER MOSFET - RS3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 7500 Stücke:
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Technische Details RS3G160ATTB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RS3G160ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 5000 µohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 2W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RS3G160ATTB1 RS3G160ATTB1 Rohm Semiconductor rs3g160attb1-e.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 16A 8-Pin SOP T/R
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auf Bestellung 537 Stücke:
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
auf Bestellung 3274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.87 EUR
500+2.33 EUR
1000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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57+3 EUR
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57+3.02 EUR
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.28 EUR
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auf Bestellung 5449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.31 EUR
10+3.71 EUR
100+2.84 EUR
500+2.39 EUR
1000+2.32 EUR
2500+2.09 EUR
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
auf Bestellung 3274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.45 EUR
52+4.5 EUR
100+2.87 EUR
500+2.33 EUR
1000+2.3 EUR
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RS3G160ATTB1
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 16A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 82 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 16A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 537 Stücke:
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71+2.43 EUR
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Trans MOSFET P-CH 40V 16A 8-Pin SOP T/R
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RS3G160ATTB1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RS3G160ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 5000 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
auf Bestellung 3274 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
100+2.87 EUR
500+2.33 EUR
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auf Bestellung 440 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
55+3.17 EUR
57+3 EUR
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250+2.69 EUR
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auf Bestellung 2438 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
53+3.3 EUR
57+3.02 EUR
100+2.73 EUR
250+2.43 EUR
500+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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Hersteller: Rohm Semiconductor
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auf Bestellung 98 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
49+3.57 EUR
52+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: PCH -40V -16A POWER MOSFET - RS3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
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Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
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Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -16.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
auf Bestellung 5449 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+6.31 EUR
10+3.71 EUR
100+2.84 EUR
500+2.39 EUR
1000+2.32 EUR
2500+2.09 EUR
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RS3G160ATTB1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RS3G160ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 5000 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
auf Bestellung 3274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
34+7.45 EUR
52+4.5 EUR
100+2.87 EUR
500+2.33 EUR
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Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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