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RS4P063BPHZGTCB

RS4P063BPHZGTCB ROHM

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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RS4P063BPHZGTCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 6300 ohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 384W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: HPLF5060T5LSAH
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EcoMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300ohm
auf Bestellung 100 Stücke:
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Technische Details RS4P063BPHZGTCB ROHM

Description: ROHM - RS4P063BPHZGTCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 6300 ohm, HPLF5060T5LSAH, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 384W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: HPLF5060T5LSAH, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: EcoMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300ohm.