RS6G120CGTB1 ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Discrete Semiconductors, MOSFETs, Nch 40V 300A, HSOP8, Power MOSFET
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.82 EUR |
| 10+ | 3.8 EUR |
| 100+ | 2.62 EUR |
| 500+ | 2.12 EUR |
| 1000+ | 2.05 EUR |
| 2500+ | 1.92 EUR |
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Technische Details RS6G120CGTB1 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RS6G120CGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 900 µohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 166W, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote RS6G120CGTB1 nach Preis ab 2.78 EUR bis 7.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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RS6G120CGTB1 | ROHM |
Description: ROHM - RS6G120CGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 900 µohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 166W Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RS6G120CGTB1 |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RS6G120CGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 900 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Dauer-Drainstrom Id: 120A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ROHM - RS6G120CGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 900 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 35+ | 7.2 EUR |
| 54+ | 4.34 EUR |
| 100+ | 2.78 EUR |