RS6L122CGTB1 Rohm Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 5.32 EUR |
| 10+ | 3.44 EUR |
| 50+ | 2.62 EUR |
| 100+ | 2.36 EUR |
| 500+ | 1.9 EUR |
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Technische Details RS6L122CGTB1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RS6L122CGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 140 A, 0.0029 ohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 140A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 125W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm.
Weitere Produktangebote RS6L122CGTB1 nach Preis ab 2.3 EUR bis 11.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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RS6L122CGTB1 | ROHM |
 Description: ROHM - RS6L122CGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 140 A, 0.0029 ohm, HSOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RS6L122CGTB1 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RS6L122CGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 140 A, 0.0029 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
Description: ROHM - RS6L122CGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 140 A, 0.0029 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 22+ | 11.72 EUR |
| 38+ | 6.25 EUR |
| 100+ | 3.27 EUR |
| 500+ | 2.49 EUR |
| 1000+ | 2.3 EUR |