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RSQ035P03HZGTR

RSQ035P03HZGTR Rohm Semiconductor

rsq035p03hzgtr-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 1990 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
354+0.49 EUR
356+0.48 EUR
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Technische Details RSQ035P03HZGTR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RSQ035P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.065 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 1.25W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RSQ035P03HZGTR RSQ035P03HZGTR Rohm Semiconductor rsq035p03hzgtr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 2963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
205+0.84 EUR
250+0.8 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.71 EUR
2500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 205 Stücke
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RSQ035P03HZGTR RSQ035P03HZGTR ROHM Semiconductor rsq035p03hzgtr-e.pdf MOSFETs MOSFET Pch -30V -3.5A, DriveVoltage:-4 SOT457T
auf Bestellung 5714 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.31 EUR
10+1.07 EUR
100+0.95 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.7 EUR
3000+0.6 EUR
6000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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RSQ035P03HZGTR RSQ035P03HZGTR Rohm Semiconductor rsq035p03hzgtr-e.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.39 EUR
14+1.5 EUR
100+0.99 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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RSQ035P03HZGTR RSQ035P03HZGTR ROHM rsq035p03hzgtr-e.pdf Description: ROHM - RSQ035P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.045 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4412 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+2.49 EUR
154+1.51 EUR
228+0.94 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
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RSQ035P03HZGTR RSQ035P03HZGTR ROHM rsq035p03hzgtr-e.pdf Description: ROHM - RSQ035P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.065 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 4134 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+2.75 EUR
162+1.44 EUR
230+0.93 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RSQ035P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.045 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: p-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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154+1.51 EUR
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Mindestbestellmenge: 101 Stücke
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RSQ035P03HZGTR
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RSQ035P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.065 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
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Kanaltyp: p-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 4134 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
91+2.75 EUR
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230+0.93 EUR
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