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RTQ020N03TR

RTQ020N03TR Rohm Semiconductor

rtq020n03tr-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2A 6-Pin TSMT T/R
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Technische Details RTQ020N03TR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RTQ020N03TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.125 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RTQ020N03TR RTQ020N03TR Rohm Semiconductor datasheet?p=RTQ020N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Mindestbestellmenge: 355 Stücke
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2500+0.42 EUR
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Mindestbestellmenge: 355 Stücke
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Mindestbestellmenge: 355 Stücke
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RTQ020N03TR RTQ020N03TR ROHM datasheet?p=RTQ020N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RTQ020N03TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.125 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2018 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+1.4 EUR
229+1.01 EUR
339+0.63 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
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RTQ020N03TR RTQ020N03TR Rohm Semiconductor datasheet?p=RTQ020N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 10 V
auf Bestellung 7561 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.52 EUR
23+0.95 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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RTQ020N03TR RTQ020N03TR ROHM Semiconductor datasheet?p=RTQ020N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs N-CH 30V 2A TSMT6
auf Bestellung 883 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.62 EUR
10+1.01 EUR
100+0.65 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
3000+0.37 EUR
6000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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RTQ020N03TR datasheet?p=RTQ020N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
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RTQ020N03TR datasheet?p=RTQ020N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RTQ020N03TR
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 3000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2A 6-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 1071 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
355+0.49 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 355 Stücke
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Trans MOSFET N-CH Si 30V 2A 6-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
355+0.49 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.44 EUR
2500+0.42 EUR
5000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 355 Stücke
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2A 6-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
355+0.49 EUR
500+0.46 EUR
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RTQ020N03TR datasheet?p=RTQ020N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RTQ020N03TR
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RTQ020N03TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.125 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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RTQ020N03TR
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 10 V
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RTQ020N03TR
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs N-CH 30V 2A TSMT6
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3+1.62 EUR
10+1.01 EUR
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500+0.5 EUR
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