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RTQ025P02HZGTR

RTQ025P02HZGTR ROHM Semiconductor

datasheet?p=RTQ025P02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFET Pch -20V -2.5A Small Signal MOSFET - RTQ025P02HZG is a MOSFET for switching applications. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
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Technische Details RTQ025P02HZGTR ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RTQ025P02HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.1 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.25W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-457T, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RTQ025P02HZGTR RTQ025P02HZGTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RTQ025P02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
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RTQ025P02HZGTR RTQ025P02HZGTR ROHM datasheet?p=RTQ025P02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RTQ025P02HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.1 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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159+1.46 EUR
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RTQ025P02HZGTR RTQ025P02HZGTR ROHM datasheet?p=RTQ025P02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RTQ025P02HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.1 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2350 Stücke:
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111+2.25 EUR
159+1.46 EUR
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RTQ025P02HZGTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RTQ025P02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R
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234+0.75 EUR
250+0.7 EUR
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RTQ025P02HZGTR datasheet?p=RTQ025P02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RTQ025P02HZGTR
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
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RTQ025P02HZGTR datasheet?p=RTQ025P02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RTQ025P02HZGTR
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RTQ025P02HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.1 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
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Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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RTQ025P02HZGTR datasheet?p=RTQ025P02HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RTQ025P02HZGTR
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RTQ025P02HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.1 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSMT T/R
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