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RTR020N05HZGTL

RTR020N05HZGTL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RTR020N05HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Technische Details RTR020N05HZGTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RTR020N05HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.18 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 45V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm.

Weitere Produktangebote RTR020N05HZGTL nach Preis ab 0.38 EUR bis 2.17 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RTR020N05HZGTL RTR020N05HZGTL ROHM 2864530.pdf Description: ROHM - RTR020N05HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.13 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
177+1.42 EUR
205+1.14 EUR
274+0.79 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 177 Stücke
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RTR020N05HZGTL RTR020N05HZGTL ROHM Semiconductor datasheet?p=RTR020N05HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Nch 45V 2A Small Signal MOSFET
auf Bestellung 3033 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.69 EUR
10+1.06 EUR
100+0.69 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
3000+0.4 EUR
6000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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RTR020N05HZGTL RTR020N05HZGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RTR020N05HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Grade: Automotive
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 5375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.82 EUR
19+1.14 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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RTR020N05HZGTL RTR020N05HZGTL ROHM rtr020n05hzgtl-e.pdf Description: ROHM - RTR020N05HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.18 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
auf Bestellung 884 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+2.17 EUR
185+1.26 EUR
282+0.76 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
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RTR020N05HZGTL 2864530.pdf
RTR020N05HZGTL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RTR020N05HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.13 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
177+1.42 EUR
205+1.14 EUR
274+0.79 EUR
500+0.62 EUR
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 45V 2A Small Signal MOSFET
auf Bestellung 3033 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+1.69 EUR
10+1.06 EUR
100+0.69 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
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6000+0.38 EUR
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Grade: Automotive
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 5375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+1.82 EUR
19+1.14 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
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Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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RTR020N05HZGTL rtr020n05hzgtl-e.pdf
RTR020N05HZGTL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RTR020N05HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.18 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
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auf Bestellung 884 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
116+2.17 EUR
185+1.26 EUR
282+0.76 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
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