RTR040N03TL VBsemi
Hersteller: VBsemi30V 6.5A 30m@10V,3.2A 1.7W 1.1V@250uA 17pF@15V N Channel 335pF@15V 2.1nC@4.5V -55~+150@(Tj) SOT-23-3 MOSFETs RTR040N03TL TRTR040N03TL VBS
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details RTR040N03TL VBsemi
Description: ROHM - RTR040N03TL - Leistungs-MOSFET, niedrige Gate-Schwellenspannung, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.066 ohm, TSMT, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RTR040N03TL nach Preis ab 0.57 EUR bis 0.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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| RTR040N03TL | Hersteller : ROHM |
09+ROHS SOT-23 |
auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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RTR040N03TL Produktcode: 27259
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Hersteller : Rohm |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SOT-23 Uds,V: 30 Idd,A: 4 Rds(on), Ohm: 01.03.2000 Ciss, pF/Qg, nC: 09.05.475 JHGF: SMD |
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RTR040N03TL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RTR040N03TL - Leistungs-MOSFET, niedrige Gate-Schwellenspannung, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.066 ohm, TSMT tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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| RTR040N03TL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin TSMT T/R |
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RTR040N03TL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 10 V |
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RTR040N03TL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 10 V |
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RTR040N03TL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 2.5V Drive N-Chan |
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