RU1C001UNTCL Rohm Semiconductor
auf Bestellung 23465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3847+ | 0.04 EUR |
| 4167+ | 0.03 EUR |
| 4311+ | 0.03 EUR |
| 6000+ | 0.03 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details RU1C001UNTCL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RU1C001UNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323FL, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RU1C001UNTCL nach Preis ab 0.07 EUR bis 0.66 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RU1C001UNTCL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 20V 100MA UMT3FPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1 pF @ 10 V |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
RU1C001UNTCL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.1A 3-Pin UMTF T/R |
auf Bestellung 2118 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
RU1C001UNTCL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.1A 3-Pin UMTF T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
RU1C001UNTCL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 20V 100MA UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1 pF @ 10 V |
auf Bestellung 10689 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
RU1C001UNTCL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFET 1.2V N-CHANNEL DRIVE |
auf Bestellung 16402 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
RU1C001UNTCL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RU1C001UNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323FL Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
RU1C001UNTCL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RU1C001UNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323FL Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| RU1C001UNTCL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
RU1C001UNTCL SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |