RU1C001UNTCL Rohm Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3847+ | 0.045 EUR |
| 4167+ | 0.042 EUR |
| 4311+ | 0.039 EUR |
| 6000+ | 0.037 EUR |
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Technische Details RU1C001UNTCL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RU1C001UNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323FL, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RU1C001UNTCL nach Preis ab 0.086 EUR bis 0.79 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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RU1C001UNTCL | Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 20V 0.1A 3-Pin UMTF T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RU1C001UNTCL | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.1A 3-Pin UMTF T/R |
auf Bestellung 2118 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RU1C001UNTCL | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 20V 100MA UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1 pF @ 10 V |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RU1C001UNTCL | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 20V 100MA UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1 pF @ 10 V |
auf Bestellung 31248 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RU1C001UNTCL | ROHM Semiconductor |
MOSFET 1.2V N-CHANNEL DRIVE |
auf Bestellung 16402 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RU1C001UNTCL | ROHM |
Description: ROHM - RU1C001UNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323FL Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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RU1C001UNTCL | ROHM |
Description: ROHM - RU1C001UNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323FL Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RU1C001UNTCL |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.1A 3-Pin UMTF T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 0.1A 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1802+ | 0.096 EUR |
| 2500+ | 0.093 EUR |
| 5000+ | 0.088 EUR |
| RU1C001UNTCL |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.1A 3-Pin UMTF T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 0.1A 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 2118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1802+ | 0.096 EUR |
| RU1C001UNTCL |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 100MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V 100MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1 pF @ 10 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.12 EUR |
| 6000+ | 0.11 EUR |
| 9000+ | 0.1 EUR |
| 15000+ | 0.093 EUR |
| 21000+ | 0.089 EUR |
| 30000+ | 0.086 EUR |
| RU1C001UNTCL |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 100MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V 100MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1 pF @ 10 V
auf Bestellung 31248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 38+ | 0.57 EUR |
| 61+ | 0.35 EUR |
| 100+ | 0.21 EUR |
| 500+ | 0.15 EUR |
| 1000+ | 0.14 EUR |
| RU1C001UNTCL |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFET 1.2V N-CHANNEL DRIVE
MOSFET 1.2V N-CHANNEL DRIVE
auf Bestellung 16402 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 0.79 EUR |
| 10+ | 0.64 EUR |
| 100+ | 0.35 EUR |
| 500+ | 0.23 EUR |
| 1000+ | 0.15 EUR |
| 3000+ | 0.14 EUR |
| 6000+ | 0.12 EUR |
| RU1C001UNTCL |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RU1C001UNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RU1C001UNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| RU1C001UNTCL |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RU1C001UNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RU1C001UNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)