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RU1J002YNTCL

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Produktcode: 158853
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RU1J002YNTCL RU1J002YNTCL Rohm Semiconductor ru1j002yn-e.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 5917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2193+0.08 EUR
2513+0.068 EUR
2598+0.064 EUR
3237+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 2193 Stücke
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RU1J002YNTCL RU1J002YNTCL Rohm Semiconductor datasheet?p=RU1J002YN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
auf Bestellung 1566000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.087 EUR
6000+0.077 EUR
9000+0.073 EUR
15000+0.068 EUR
21000+0.064 EUR
30000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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RU1J002YNTCL RU1J002YNTCL Rohm Semiconductor ru1j002yn-e.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1902+0.092 EUR
2500+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 1902 Stücke
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RU1J002YNTCL RU1J002YNTCL ROHM ru1j002yn-e.pdf Description: ROHM - RU1J002YNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7617 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1042+0.24 EUR
1370+0.17 EUR
2000+0.11 EUR
2273+0.094 EUR
2326+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 1042 Stücke
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RU1J002YNTCL RU1J002YNTCL ROHM ru1j002yn-e.pdf Description: ROHM - RU1J002YNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7617 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1042+0.24 EUR
1370+0.17 EUR
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RU1J002YNTCL RU1J002YNTCL ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RU1J002YN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 0.8A; 150mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT323F
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 3.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 2377 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+0.29 EUR
421+0.2 EUR
646+0.13 EUR
785+0.11 EUR
1177+0.073 EUR
1334+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
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RU1J002YNTCL RU1J002YNTCL ROHM Semiconductor datasheet?p=RU1J002YN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 0.9V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 88634 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.39 EUR
14+0.24 EUR
100+0.14 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.096 EUR
3000+0.063 EUR
6000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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RU1J002YNTCL RU1J002YNTCL Rohm Semiconductor datasheet?p=RU1J002YN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
auf Bestellung 1567952 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.42 EUR
80+0.26 EUR
129+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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RU1J002YNTCL RU1J002YNTCL Rohm Semiconductor ru1j002yn-e.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 153 Stücke
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RU1J002YNTCL ru1j002yn-e.pdf
RU1J002YNTCL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 5917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2193+0.08 EUR
2513+0.068 EUR
2598+0.064 EUR
3237+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 2193 Stücke
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RU1J002YNTCL datasheet?p=RU1J002YN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RU1J002YNTCL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
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RU1J002YNTCL ru1j002yn-e.pdf
RU1J002YNTCL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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2500+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 1902 Stücke
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RU1J002YNTCL ru1j002yn-e.pdf
RU1J002YNTCL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RU1J002YNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7617 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1042+0.24 EUR
1370+0.17 EUR
2000+0.11 EUR
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RU1J002YNTCL ru1j002yn-e.pdf
RU1J002YNTCL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RU1J002YNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7617 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1042+0.24 EUR
1370+0.17 EUR
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RU1J002YNTCL datasheet?p=RU1J002YN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RU1J002YNTCL
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 0.8A; 150mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT323F
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 3.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 2377 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
295+0.29 EUR
421+0.2 EUR
646+0.13 EUR
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1177+0.073 EUR
1334+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs 0.9V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 88634 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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14+0.24 EUR
100+0.14 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.096 EUR
3000+0.063 EUR
6000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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RU1J002YNTCL datasheet?p=RU1J002YN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RU1J002YNTCL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
auf Bestellung 1567952 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
50+0.42 EUR
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129+0.17 EUR
500+0.12 EUR
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RU1J002YNTCL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
auf Bestellung 153 Stücke:
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