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RUC002N05T116

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Produktcode: 176006
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RUC002N05T116 RUC002N05T116 Rohm Semiconductor datasheet?p=RUC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
auf Bestellung 138000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.1 EUR
6000+0.09 EUR
9000+0.084 EUR
15000+0.079 EUR
21000+0.075 EUR
30000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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RUC002N05T116 RUC002N05T116 Rohm Semiconductor 2078143200496743ruc002n05.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1019+0.17 EUR
2500+0.15 EUR
5000+0.14 EUR
25000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1019 Stücke
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RUC002N05T116 RUC002N05T116 ROHM Semiconductor datasheet?p=RUC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Ultra Lo Vtg 1.2V drive Nch MOSFET
auf Bestellung 2796 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.49 EUR
12+0.3 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.096 EUR
6000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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RUC002N05T116 RUC002N05T116 Rohm Semiconductor datasheet?p=RUC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
auf Bestellung 140752 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.5 EUR
70+0.3 EUR
113+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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RUC002N05T116 RUC002N05T116 ROHM datasheet?p=RUC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RUC002N05T116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5357 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.55 EUR
654+0.36 EUR
1158+0.19 EUR
1786+0.12 EUR
1822+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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RUC002N05T116 RUC002N05T116 ROHM datasheet?p=RUC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RUC002N05T116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
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Dauer-Drainstrom Id: 200mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3627 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
419+0.6 EUR
700+0.33 EUR
1746+0.12 EUR
1835+0.12 EUR
1938+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 419 Stücke
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RUC002N05T116 RUC002N05T116 Rohm Semiconductor 2078143200496743ruc002n05.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 563 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 562 Stücke
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auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RUC002N05T116 datasheet?p=RUC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUC002N05T116
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
auf Bestellung 138000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.1 EUR
6000+0.09 EUR
9000+0.084 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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RUC002N05T116 2078143200496743ruc002n05.pdf
RUC002N05T116
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1019+0.17 EUR
2500+0.15 EUR
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RUC002N05T116
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Ultra Lo Vtg 1.2V drive Nch MOSFET
auf Bestellung 2796 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+0.49 EUR
12+0.3 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
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6000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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RUC002N05T116 datasheet?p=RUC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUC002N05T116
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
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Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
auf Bestellung 140752 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
42+0.5 EUR
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RUC002N05T116
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RUC002N05T116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
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Dauer-Drainstrom Id: 200mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
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Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5357 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.55 EUR
654+0.36 EUR
1158+0.19 EUR
1786+0.12 EUR
1822+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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RUC002N05T116 datasheet?p=RUC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUC002N05T116
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RUC002N05T116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
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Dauer-Drainstrom Id: 200mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3627 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
419+0.6 EUR
700+0.33 EUR
1746+0.12 EUR
1835+0.12 EUR
1938+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 419 Stücke
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RUC002N05T116 2078143200496743ruc002n05.pdf
RUC002N05T116
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 563 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 562 Stücke
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RUC002N05T116 datasheet?p=RUC002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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