RUF015N02TL ROHM Semiconductor
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Technische Details RUF015N02TL ROHM Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; Idm: 3A; 800mW; TUMT3, Mounting: SMD, Case: TUMT3, Kind of package: reel; tape, Power dissipation: 0.8W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 1.8nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±10V, Pulsed drain current: 3A, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 1.5A, On-state resistance: 0.31Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Anzahl je Verpackung: 5 Stücke.
Weitere Produktangebote RUF015N02TL
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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RUF015N02TL | Hersteller : Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3 |
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RUF015N02TL | Hersteller : Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3 |
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RUF015N02TL |
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RUF015N02TL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; Idm: 3A; 800mW; TUMT3 Mounting: SMD Case: TUMT3 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 1.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 3A Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.5A On-state resistance: 0.31Ω Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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RUF015N02TL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; Idm: 3A; 800mW; TUMT3 Mounting: SMD Case: TUMT3 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 1.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 3A Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.5A On-state resistance: 0.31Ω Type of transistor: N-MOSFET |
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